MUR20060CTR - GeneSiC Semiconductor

номер части	MUR20060CTR
Статус детали	Active
Конфигурация диода	1 Pair Common Anode
Тип диода	Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	600V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	200A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.7V @ 50A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	110ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	25µA @ 50V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Twin Tower
Пакет устройств поставщика	Twin Tower
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MUR20005CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER	подробности
MUR20005CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER	подробности
MUR20010CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	подробности
MUR20010CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	подробности
MUR20020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER	подробности
MUR20020CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER	подробности
MUR20040CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER	подробности
MUR20040CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER	подробности
MUR20060CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER	подробности
MUR20060CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER	подробности