| Número de pieza | MUR20060CTR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Anode |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 200A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 50A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 110ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 50V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Twin Tower |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Twin Tower |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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MUR20005CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER | Detalles |
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MUR20005CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER | Detalles |
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MUR20020CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER | Detalles |
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MUR20040CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER | Detalles |
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MUR20040CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER | Detalles |
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MUR20060CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER | Detalles |
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MUR20060CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER | Detalles |
