MSRT250100(A) - GeneSiC Semiconductor

номер части	MSRT250100(A)
Статус детали	Active
Конфигурация диода	1 Pair Common Cathode
Тип диода	Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	1000V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	250A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.2V @ 250A
скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	15µA @ 600V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Three Tower
Пакет устройств поставщика	Three Tower
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MSRT200100(A)	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER	подробности
MSRT200100(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER	подробности
MSRT200120(A)	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER	подробности
MSRT200120(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER	подробности
MSRT200140(A)	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER	подробности
MSRT200140(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER	подробности
MSRT200160(A)	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER	подробности
MSRT200160(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER	подробности
MSRT20060(A)	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER	подробности
MSRT20060(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER	подробности