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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Dioden - Gleichrichter - Arrays › MSRT250100(A)
MSRT250100(A)

MSRT250100(A) - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer
MSRT250100(A)
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung
DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MSRT250100(A) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
MSRT250100(A).pdf
Kategorie
Dioden - Gleichrichter - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
475 pcs
Referenzpreis
USD 55.8352/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern MSRT250100(A)

MSRT250100(A) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MSRT250100(A)
Teilstatus Active
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 250A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 250A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 15µA @ 600V
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Three Tower
Lieferantengerätepaket Three Tower
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR MSRT250100(A)

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
MSRT200100(A) MSRT200100(A) GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER Einzelheiten
MSRT200100(A)D MSRT200100(A)D GeneSiC Semiconductor DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER Einzelheiten
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MSRT200120(A)D MSRT200120(A)D GeneSiC Semiconductor DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER Einzelheiten
MSRT200140(A) MSRT200140(A) GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER Einzelheiten
MSRT200140(A)D MSRT200140(A)D GeneSiC Semiconductor DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER Einzelheiten
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