GA20JT12-247 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GA20JT12-247
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	-
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	20A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Vgs (Макс.)	-
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	282W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 20A
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247AB
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GA200	MMC	GA200 MMC DIP10 New Original Stocks	подробности
GA200-001PD	TE Connectivity Measurement Specialties	SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB	подробности
GA200-005WD	TE Connectivity Measurement Specialties	SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP	подробности
GA200-010WD	TE Connectivity Measurement Specialties	SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP	подробности
GA200-015WD	TE Connectivity Measurement Specialties	SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP	подробности
GA200NS61U	IR	GA200NS61U IR SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
GA200SA60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT STD 600V 100A SOT227	подробности
GA200SA60U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT UFAST 600V 100A SOT227	подробности
GA201	ORIGINAL	GA201 ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
GA201AE3	Microsemi Corporation	SCR	подробности