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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › GA20JT12-247
GA20JT12-247

GA20JT12-247 - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza
GA20JT12-247
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descripción
TRANS SJT 1.2KV 20A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
GA20JT12-247 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
GA20JT12-247.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1024 pcs
Precio de referencia
USD 26.2843/pcs
Nuestro precio
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GA20JT12-247 Descripción detallada

Número de pieza GA20JT12-247
Estado de la pieza Active
Tipo de FET -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 20A
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247AB
Paquete / caja TO-247-3
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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