| номер части | RFD14N05 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 50V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 14A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 40nC @ 20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 570pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 48W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 14A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-251AA |
| Упаковка / чехол | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
RFD10P03L | HARRIS | RFD10P03L HARRIS TO-252 New Original Stocks | подробности |
 |
RFD10P03LSM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA | подробности |
|
RFD12N06RLE | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK | подробности |
|
RFD12N06RLESM | FAIRC | RFD12N06RLESM FAIRC TO-252.. New Original Stocks | подробности |
,%20SC-63.JPG "RFD12N06RLESM9A") |
RFD12N06RLESM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | подробности |
|
RFD14N05 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK | подробности |
|
RFD14N05L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK | подробности |
|
RFD14N05LSM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | подробности |
|
RFD14N05LSM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | подробности |
|
RFD14N05SM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | подробности |
