IRFW630BTM_FP001 - Fairchild/ON Semiconductor

номер части	IRFW630BTM_FP001
Статус детали	Not For New Designs
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	29nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	720pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.13W (Ta), 72W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263AB)
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	IRFW630BTM-FP001	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	подробности
	IRFW630BTM_FP001	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	подробности