IRFW630BTM_FP001 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	IRFW630BTM_FP001
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.13W (Ta), 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	IRFW630BTM-FP001	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	Dettagli
	IRFW630BTM_FP001	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	Dettagli