| номер части | FCP190N60_GF102 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20.2A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 74nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2950pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 208W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 10A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-220 |
| Упаковка / чехол | TO-220-3 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
FCP190N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | подробности |
|
FCP190N60-GF102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | подробности |
|
FCP190N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | подробности |
|
FCP190N60_GF102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | подробности |
 |
FCP190N65F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 | подробности |
|
FCP190N65S3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 | подробности |
|
FCP190N65S3R0 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I | подробности |
 |
FCP1913H104G | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | подробности |
|
FCP1913H104G-E2 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | подробности |
 |
FCP1913H104G-E3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2 50VDC 1913 | подробности |
