2N5770_D26Z - Fairchild/ON Semiconductor

номер части	2N5770_D26Z
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	15V
Частота - переход	-
Шум (дБ Тип @ f)	6dB @ 60MHz
Усиление	15dB
Мощность - макс.	350mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	50 @ 8mA, 10V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	50mA
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Пакет устройств поставщика	TO-92-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2N5730	EXSHINE	COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES	подробности
2N5734	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	подробности
2N5740	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	подробности
2N5741	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	подробности
2N5743	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	подробности
2N5758	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	подробности
2N5759	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	подробности
2N5760	EXSHINE	COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES	подробности
2N5769	Fairchild/Micross Components	DIE TRANS NPN SWITCHING 15V	подробности
2N5770	Central Semiconductor Corp	TRANS RF NPN 15V 50MA TO-92	подробности