| Artikelnummer | 2N5770_D26Z |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
| Gewinnen | 15dB |
| Leistung max | 350mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 8mA, 10V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
2N5730 | EXSHINE | COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES | Einzelheiten |
|
2N5734 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | Einzelheiten |
|
2N5740 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package | Einzelheiten |
|
2N5741 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | Einzelheiten |
|
2N5743 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package | Einzelheiten |
|
2N5758 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | Einzelheiten |
|
2N5759 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | Einzelheiten |
|
2N5760 | EXSHINE | COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES | Einzelheiten |
 |
2N5769 | Fairchild/Micross Components | DIE TRANS NPN SWITCHING 15V | Einzelheiten |
 |
2N5770 | Central Semiconductor Corp | TRANS RF NPN 15V 50MA TO-92 | Einzelheiten |
