2N5639_D26Z - Fairchild/ON Semiconductor

номер части	2N5639_D26Z
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение - пробой (V (BR) GSS)	30V
Слив к источнику напряжения (Vdss)	-
Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	25mA @ 20V
Текущий слив (Id) - Макс.	-
Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	10pF @ 12V (VGS)
Сопротивление - RDS (Вкл.)	60 Ohm
Мощность - макс.	350mW
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Пакет устройств поставщика	TO-92-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2N5600	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	подробности
2N5601	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	подробности
2N5602	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	подробности
2N5603	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package.	подробности
2N5604	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	подробности
2N5605	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	подробности
2N5606	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.	подробности
2N5607	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package.	подробности
2N5608	SEME-LAB	Bipolar NPN Device Hermetically sealed TO66 Metal Package	подробности
2N5609	EXSHINE	Silicon PNP Transistors	подробности