2N5639_D26Z - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	2N5639_D26Z
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS)	30V
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	25mA @ 20V
Stromabfluss (Id) - Max	-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10pF @ 12V (VGS)
Widerstand - RDS (Ein)	60 Ohm
Leistung max	350mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Lieferantengerätepaket	TO-92-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
2N5600	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Einzelheiten
2N5601	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Einzelheiten
2N5602	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Einzelheiten
2N5603	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package.	Einzelheiten
2N5604	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Einzelheiten
2N5605	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Einzelheiten
2N5606	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.	Einzelheiten
2N5607	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package.	Einzelheiten
2N5608	SEME-LAB	Bipolar NPN Device Hermetically sealed TO66 Metal Package	Einzelheiten
2N5609	EXSHINE	Silicon PNP Transistors	Einzelheiten