4N35S1(TB)-V - Everlight Electronics Co Ltd

номер части	4N35S1(TB)-V
Статус детали	Active
Количество каналов	1
Напряжение - изоляция	5000Vrms
Коэффициент передачи в реальном времени (мин.)	100% @ 10mA
Коэффициент передачи тока (макс.)	-
Время включения / выключения (Тип)	10µs, 9µs
Время нарастания / падения (Тип)	-
Тип ввода	DC
Тип выхода	Transistor with Base
Напряжение - выход (макс.)	80V
Текущий - выход / канал	-
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип)	1.2V
Current - DC Forward (If) (Max)	60mA
Vce Saturation (Макс.)	300mV
Рабочая Температура	-55°C ~ 110°C
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	6-SMD, Gull Wing
Пакет устройств поставщика	6-SMD
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
4N35	Lite-On Inc.	OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP	подробности
4N35(SHORT,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP	подробности
4N35-000E	Broadcom Limited	OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP	подробности
4N35-060E	Broadcom Limited	OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP	подробности
4N35-300E	Broadcom Limited	OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6SMD	подробности
4N35-360E	Broadcom Limited	OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6SMD	подробности
4N35-500E	Broadcom Limited	OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6SMD	подробности
4N35-560E	Broadcom Limited	OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6SMD	подробности
4N35-691	Vishay Semiconductor Opto Division	OPTOCOUPLER 6DIP	подробности
4N35-V	Everlight Electronics Co Ltd	OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP	подробности