4N35(SHORT,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	4N35(SHORT,F)
Статус детали	Active
Количество каналов	1
Напряжение - изоляция	2500Vrms
Коэффициент передачи в реальном времени (мин.)	40% @ 10mA
Коэффициент передачи тока (макс.)	-
Время включения / выключения (Тип)	3µs, 3µs
Время нарастания / падения (Тип)	-
Тип ввода	DC
Тип выхода	Transistor with Base
Напряжение - выход (макс.)	30V
Текущий - выход / канал	100mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип)	1.15V
Current - DC Forward (If) (Max)	60mA
Vce Saturation (Макс.)	300mV
Рабочая Температура	-55°C ~ 100°C
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Пакет устройств поставщика	6-DIP
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	4N35(SHORT,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP	подробности