EPC2010CENGR Подробное описание
| номер части |
EPC2010CENGR |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
N-Channel |
| Технологии |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
200V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
22A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 3mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
3.7nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
380pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) |
+6V, -4V |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
- |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
25 mOhm @ 12A, 5V |
| Рабочая Температура |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
Die Outline (7-Solder Bar) |
| Упаковка / чехол |
Die |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ EPC2010CENGR
.jpg "EPC2001")
.jpg "EPC2007")
