EPC2010CENGR - EPC

номер части	EPC2010CENGR
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	22A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	3.7nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	380pF @ 100V
Vgs (Макс.)	+6V, -4V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 12A, 5V
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	Die Outline (7-Solder Bar)
Упаковка / чехол	Die
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
EPC2001	EPC	TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE	подробности
EPC2001C	EPC	TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE	подробности
EPC2007	EPC	TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE	подробности
EPC2007C	EPC	TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE	подробности
EPC2010	EPC	TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE	подробности
EPC2010C	EPC	TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE	подробности
EPC2010CENGR	EPC	TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE	подробности
EPC2012	EPC	TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE	подробности
EPC2012C	EPC	TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE	подробности
EPC2012CENGR	EPC	TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE	подробности