| номер части | MJD350-13 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | PNP |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 500mA |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 300V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | - |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 100µA (ICBO) |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Мощность - макс. | 15W |
| Частота - переход | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Пакет устройств поставщика | DPAK |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
MJD112 | FAIRC | MJD112 FAIRC TO-252.. New Original Stocks | подробности |
 |
MJD112-001 | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK | подробности |
|
MJD112-1G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK | подробности |
|
MJD112-RTF/E5 | ON | MJD112-RTF/E5 ON TO-252 New Original Stocks | подробности |
 |
MJD112-TP | Micro Commercial Co | TRANS NPN 100V 2A DPAK | подробности |
 |
MJD112G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | подробности |
|
MJD112L | KEC | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.) | подробности |
|
MJD112RL | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | подробности |
|
MJD112RLG | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | подробности |
|
MJD112T4 | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | подробности |
