MBR2060CT-E1 - Diodes Incorporated

номер части	MBR2060CT-E1
Статус детали	Active
Конфигурация диода	1 Pair Common Cathode
Тип диода	Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	60V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)	10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	810mV @ 10A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	-
Текущий - обратный утечек @ Vr	100µA @ 60V
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-220-3
Пакет устройств поставщика	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MBR200100	MCC	200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	подробности
MBR200100CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	подробности
MBR200100CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	подробности
MBR200100CTS	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A SOT227	подробности
MBR200150CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER	подробности
MBR200150CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER	подробности
MBR20020	MCC	200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	подробности
MBR200200CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER	подробности
MBR200200CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER	подробности
MBR20020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER	подробности