| номер части | DMTH10H010LPS-13 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10.8A (Ta), 98.4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 53.7nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2592pF @ 50V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W, 125W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI5060-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB | подробности |
|
DMTH10H005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB | подробности |
 |
DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 108A TO220AB | подробности |
|
DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R | подробности |
|
DMTH10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50 | подробности |
|
DMTH10H010SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T | подробности |
 |
DMTH10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | подробности |
|
DMTH10H010SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50 | подробности |
 |
DMTH10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 | подробности |
 |
DMTH10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI | подробности |
