| 品番 | DMTH10H010LPS-13 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10.8A (Ta), 98.4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8.6 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 53.7nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2592pF @ 50V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.5W, 125W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB | 詳細 |
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DMTH10H005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB | 詳細 |
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DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 108A TO220AB | 詳細 |
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DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R | 詳細 |
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DMTH10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50 | 詳細 |
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DMTH10H010SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T | 詳細 |
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DMTH10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | 詳細 |
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DMTH10H010SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50 | 詳細 |
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DMTH10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 | 詳細 |
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DMTH10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI | 詳細 |
