DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13 - Diodes Incorporated

номер части
DMT6009LFG-13
производитель
Diodes Incorporated
Краткое описание
MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
DMT6009LFG-13 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
53064 pcs
Справочная цена
USD 0.483/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13 Подробное описание

номер части DMT6009LFG-13
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Ta), 34A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1925pF @ 30V
Vgs (Макс.) ±16V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 13.5A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerDI3333-8
Упаковка / чехол 8-PowerWDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DMT6009LFG-13