| номер части | DMT10H010LPS-13 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9.4A (Ta), 98A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3000pF @ 50V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.2W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerDI5060-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | подробности |
|
DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | подробности |
 |
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | подробности |
 |
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | подробности |
|
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | подробности |
 |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | подробности |
 |
DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | подробности |
|
DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | подробности |
|
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | подробности |
|
DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | подробности |
