| номер части | DMT10H009SSS-13 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | - |
| Технологии | - |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | - |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | - |
| Vgs (Макс.) | - |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| Рабочая Температура | - |
| Тип монтажа | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | подробности |
|
DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | подробности |
 |
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | подробности |
 |
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | подробности |
 |
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | подробности |
 |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | подробности |
 |
DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | подробности |
|
DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | подробности |
|
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | подробности |
|
DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | подробности |
