DMP510DL-13 - Diodes Incorporated

номер части	DMP510DL-13
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	50V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	180mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	24.6pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	310mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 100mA, 5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMP510DL-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23	подробности
DMP510DL-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23	подробности
DMP56D0UFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN	подробности
DMP56D0UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN	подробности
DMP56D0UV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563	подробности
DMP57D5UFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN	подробности
DMP57D5UV	DIODES	DMP57D5UV DIODES SOT563 New Original Stocks	подробности
DMP57D5UV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563	подробности
DMP58D0LFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3	подробности
DMP58D0LFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN	подробности