| номер части | DMN4020LFDE-7 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 8A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 19.1nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1060pF @ 20V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Упаковка / чехол | 6-UDFN Exposed Pad |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN4008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8 | подробности |
|
DMN4008LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8 | подробности |
 |
DMN4009LK3 | DIODES | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | подробности |
 |
DMN4009LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A DPAK | подробности |
|
DMN4010LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 | подробности |
|
DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 | подробности |
|
DMN4015LK3 | DIODES | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | подробности |
|
DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | подробности |
|
DMN4020LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6 | подробности |
|
DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | подробности |
