DMN4010LFG-13 - Diodes Incorporated

номер части	DMN4010LFG-13
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	37nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1810pF @ 20V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	930mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 14A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerDI3333-8
Упаковка / чехол	8-PowerWDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMN4008LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8	подробности
DMN4008LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8	подробности
DMN4009LK3	DIODES	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	подробности
DMN4009LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 18A DPAK	подробности
DMN4010LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8	подробности
DMN4010LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8	подробности
DMN4015LK3	DIODES	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	подробности
DMN4015LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK	подробности
DMN4020LFDE-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6	подробности
DMN4020LFDE-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 6-UDFN	подробности