DMN32D2LFB4-7 - Diodes Incorporated

номер части	DMN32D2LFB4-7
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	300mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	39pF @ 3V
Vgs (Макс.)	±10V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	350mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 100mA, 4V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	X2-DFN1006-3
Упаковка / чехол	3-XFDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMN3200U	DIODES	DMN3200U DIODES SOT-23 New Original Stocks	подробности
DMN3200U-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3	подробности
DMN3270UVT-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR	подробности
DMN3270UVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR	подробности
DMN32D2LDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353	подробности
DMN32D2LDF-7-HN	DIODES	DMN32D2LDF-7-HN DIODES SOT353 New Original Stocks	подробности
DMN32D2LFB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN	подробности
DMN32D2LFB4-7-HN	DIODES	DMN32D2LFB4-7-HN DIODES SOD060.. New Original Stocks	подробности
DMN32D2LV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563	подробности
DMN32D4SDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363	подробности