Número de pieza | DMN32D2LFB4-7 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 300mA (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 39pF @ 3V |
Vgs (Max) | ±10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 350mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 100mA, 4V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | X2-DFN1006-3 |
Paquete / caja | 3-XFDFN |
Peso | - |
País de origen | - |