DMN2450UFB4-7R - Diodes Incorporated

номер части	DMN2450UFB4-7R
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	1.3nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±12V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	56pF @ 16V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	500mW (Ta)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	X2-DFN1006-3
Упаковка / чехол	3-XFDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMN2400UFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN	подробности
DMN2400UFB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4	подробности
DMN2400UFD-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3	подробности
DMN2400UFDQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3	подробности
DMN2400UFDQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3	подробности
DMN2400UV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563	подробности
DMN2450UFB4-7B	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-	подробности
DMN2450UFB4-7R	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-	подробности
DMN2450UFD-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3	подробности
DMN24H11DS-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 101V-250V SOT23 T	подробности