DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13 - Diodes Incorporated

номер части
DMN2009LSS-13
производитель
Diodes Incorporated
Краткое описание
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
DMN2009LSS-13 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
137500 pcs
Справочная цена
USD 0.3002/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13 Подробное описание

номер части DMN2009LSS-13
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 58.3nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2555pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 12A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOP
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DMN2009LSS-13