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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMN2009LSS-13
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13 - Diodes Incorporated

品番
DMN2009LSS-13
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN2009LSS-13 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
137500 pcs
参考価格
USD 0.3002/pcs
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DMN2009LSS-13 詳細な説明

品番 DMN2009LSS-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 2.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 1.2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 58.3nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2555pF @ 10V
Vgs（最大） ±12V
FET機能 -
消費電力（最大） 2W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 8 mOhm @ 12A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 -
原産国 -

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