| номер части | BAV116WSQ-7 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 85V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 215mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.25V @ 150mA |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 3µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5nA @ 75V |
| Емкость @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SC-76, SOD-323 |
| Пакет устройств поставщика | SOD-323 |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
BAV10 | SYNSEMI | HIGH SPEED SWITCHING DIODE | подробности |
|
BAV100 | VISHAY | Silicon Epitaxial Planar Diodes | подробности |
 |
BAV100-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | подробности |
 |
BAV100-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | подробности |
|
BAV100_07 | SEMIKRON | Ultrafast silicon rectifier diodes | подробности |
|
BAV101 | PHIL | BAV101 PHIL SOP New Original Stocks | подробности |
 |
BAV101 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | подробности |
|
BAV101 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | подробности |
|
BAV101-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | подробности |
|
BAV101-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | подробности |
