GBJ2010-G - Comchip Technology

номер части	GBJ2010-G
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	1000V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	20A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.05V @ 10A
Текущий - обратный утечек @ Vr	10µA @ 1000V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-SIP, GBJ
Пакет устройств поставщика	GBJ
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GBJ10005	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 50V 10A GBJ	подробности
GBJ10005-BP	Micro Commercial Co	RECT BRIDGE GPP 10A 50V GBJ	подробности
GBJ10005-F	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 50V 10A GBJ	подробности
GBJ10005-G	Comchip Technology	BRIDGE DIODE 10A 50V GBJ	подробности
GBJ10005TB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBJ	подробности
GBJ10005_1	DIODES	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	подробности
GBJ1001	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 100V 10A GBJ	подробности
GBJ1001-BP	Micro Commercial Co	RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBJ	подробности
GBJ1001-F	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBJ	подробности
GBJ1001TB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBJ	подробности