GBJ2010-G - Comchip Technology

Numero di parte	GBJ2010-G
Stato parte	Active
Tipo diodo	Single Phase
Tecnologia	Standard
Voltage - Peak Reverse (Max)	1000V
Corrente - Rettificato medio (Io)	20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.05V @ 10A
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 1000V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	4-SIP, GBJ
Pacchetto dispositivo fornitore	GBJ
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GBJ10005	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 50V 10A GBJ	Dettagli
GBJ10005-BP	Micro Commercial Co	RECT BRIDGE GPP 10A 50V GBJ	Dettagli
GBJ10005-F	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 50V 10A GBJ	Dettagli
GBJ10005-G	Comchip Technology	BRIDGE DIODE 10A 50V GBJ	Dettagli
GBJ10005TB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBJ	Dettagli
GBJ10005_1	DIODES	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	Dettagli
GBJ1001	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 100V 10A GBJ	Dettagli
GBJ1001-BP	Micro Commercial Co	RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBJ	Dettagli
GBJ1001-F	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBJ	Dettagli
GBJ1001TB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBJ	Dettagli