| номер части | 2N5367 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | PNP |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 300mA |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 40V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | 1V @ 30mA, 300mA |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 100nA (ICBO) |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 1V |
| Мощность - макс. | 625mW |
| Частота - переход | 250MHz |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Пакет устройств поставщика | TO-92 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | подробности |
|
2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | подробности |
|
2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
|
2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
|
2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
|
2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | подробности |
 |
2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | подробности |
|
2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | подробности |
|
2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | подробности |
|
2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
