VN1206L-G-P002 - Microchip Technology

номер части	VN1206L-G-P002
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	120V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	230mA (Tj)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	125pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-92-3
Упаковка / чехол	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VN1206L	VISHAY	N-Channel 120-V (D-S) MOSFET	подробности
VN1206L-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3	подробности
VN1206L-G-P002	Microchip Technology	MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3	подробности