VN1206L-G-P002 - Microchip Technology

Artikelnummer	VN1206L-G-P002
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	120V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	230mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	125pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-92-3
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VN1206L	VISHAY	N-Channel 120-V (D-S) MOSFET	Einzelheiten
VN1206L-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3	Einzelheiten
VN1206L-G-P002	Microchip Technology	MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3	Einzelheiten