SQD50P03-07_GE3 - Vishay Siliconix

부품 번호	SQD50P03-07_GE3
부품 상태	Active
FET 유형	P-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	146nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	5490pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	136W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	TO-252AA
패키지 / 케이스	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
SQD50A100	SANREX	SQD50A100 SANREX SMD or Through Hole New Original Stocks	세부
SQD50AB100	EXSHINE	TRANSISTOR MODULE (NON-ISOLATED TYPE)	세부
SQD50AB90	SANREX	SQD50AB90 SANREX SMD or Through Hole New Original Stocks	세부
SQD50B90	SANREX	SQD50B90 SANREX SMD or Through Hole New Original Stocks	세부
SQD50BB90	SANREX	SQD50BB90 SANREX SMD or Through Hole New Original Stocks	세부
SQD50N02-04L-GE3	VIS	SQD50N02-04L-GE3 VIS TO-252 New Original Stocks	세부
SQD50N03-06P-GE3	VIS	SQD50N03-06P-GE3 VIS TO-252 New Original Stocks	세부
SQD50N03-09-GE3	VIS	SQD50N03-09-GE3 VIS TO-252 New Original Stocks	세부
SQD50N04-09H-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 50A TO252	세부
SQD50N04-4M5L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA	세부