SQD50P03-07_GE3 - Vishay Siliconix

品番	SQD50P03-07_GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	146nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	5490pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	136W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TO-252AA
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

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