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SI5401DC-T1-E3 - Vishay Siliconix

부품 번호: SI5401DC-T1-E3
제조사: Vishay Siliconix
간단한 설명: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: SI5401DC-T1-E3 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 3939 pcs
참고 가격: USD 0/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

SI5401DC-T1-E3 상세 설명

부품 번호	SI5401DC-T1-E3
부품 상태	Obsolete
FET 유형	P-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	5.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id	1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	25nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	-
Vgs (최대)	±8V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	1.3W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	1206-8 ChipFET™
패키지 / 케이스	8-SMD, Flat Lead
무게	-
원산지	-

관련 제품 SI5401DC-T1-E3

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	SI5401DC	VISHAY	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	세부
	SI5401DC-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8	세부
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