SI5401DC-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SI5401DC-T1-E3
État de la pièce	Obsolete
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	1206-8 ChipFET™
Paquet / cas	8-SMD, Flat Lead
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SI5401DC	VISHAY	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	Détails
SI5401DC-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8	Détails
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