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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › SI4487DY-T1-GE3
SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

부품 번호
SI4487DY-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
12500 pcs
참고 가격
USD 0.319/pcs
우리의 가격
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SI4487DY-T1-GE3 상세 설명

부품 번호 SI4487DY-T1-GE3
부품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1075pF @ 15V
Vgs (최대) ±25V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 20.5 mOhm @ 10A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 8-SO
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
무게 -
원산지 -

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