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SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番: SI4487DY-T1-GE3
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SI4487DY-T1-GE3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 12500 pcs
参考価格: USD 0.319/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SI4487DY-T1-GE3 詳細な説明

品番	SI4487DY-T1-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	11.6A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	36nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1075pF @ 15V
Vgs（最大）	±25V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	20.5 mOhm @ 10A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SO
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量	-
原産国	-

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