SI3440ADV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

부품 번호	SI3440ADV-T1-GE3
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	150V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	4nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	80pF @ 75V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	3.6W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	6-TSOP
패키지 / 케이스	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
SI3440ADV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP	세부
SI3440DV	VISHAY	N-Channel 150-V (D-S) MOSFET	세부
SI3440DV-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP	세부
SI3440DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP	세부
SI3440DV_08	VISHAY	N-Channel 150-V (D-S) MOSFET	세부