SI3440ADV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI3440ADV-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 75V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.6W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI3440ADV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP	Dettagli
SI3440DV	VISHAY	N-Channel 150-V (D-S) MOSFET	Dettagli
SI3440DV-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP	Dettagli
SI3440DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP	Dettagli
SI3440DV_08	VISHAY	N-Channel 150-V (D-S) MOSFET	Dettagli