| 부품 번호 | SI1900DL-T1-GE3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 630mA (Ta), 590mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 590mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력 - 최대 | 300mW, 270mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SC-70-6 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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SI1900DL | VISHAY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 세부 |
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SI1900DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6 | 세부 |
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SI1901DL | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | 세부 |
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SI1902CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6 | 세부 |
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SI1902DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6 | 세부 |
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