SI1900DL-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI1900DL-T1-GE3 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft |
Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
630mA (Ta), 590mA (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
480 mOhm @ 590mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
1.4nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Leistung max |
300mW, 270mW |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket |
SC-70-6 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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