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S1GHE3_A/I - Vishay Semiconductor Diodes Division

부품 번호: S1GHE3_A/I
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
간단한 설명: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: S1GHE3_A/I PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 다이오드 - 정류기 - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 399803 pcs
참고 가격: USD 0.0635/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

S1GHE3_A/I 상세 설명

부품 번호	S1GHE3_A/I
부품 상태	Active
다이오드 유형	Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대)	400V
전류 - 평균 정류 (Io)	1A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If	1.1V @ 1A
속도	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr)	1.8µs
전류 - Vr의 역 누설	1µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	DO-214AC, SMA
공급 업체 장치 패키지	DO-214AC (SMA)
작동 온도 - 정션	-55°C ~ 150°C
무게	-
원산지	-

관련 제품 S1GHE3_A/I

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	S1GHE	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 400V 1A SOD323HE	세부
	S1GHE3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	세부
	S1GHE3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	세부
	S1GHE3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	세부
	S1GHE3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	세부
	S1GHM2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	세부
	S1GHM3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	세부
	S1GHR3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	세부