S1GHE3_A/I - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza	S1GHE3_A/I
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Corriente - promedio rectificado (Io)	1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.1V @ 1A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	1.8µs
Current - Reverse Leakage @ Vr	1µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
S1GHE	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 400V 1A SOD323HE	Detalles
S1GHE3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Detalles
S1GHE3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Detalles
S1GHE3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Detalles
S1GHE3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Detalles
S1GHM2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Detalles
S1GHM3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Detalles
S1GHR3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Detalles